Qualcomm
ativo
Qualcomm Snapdragon 835
8ª Geração
•
mobile
•
fev/2017
8
núcleos
2.45 GHz
boost
4-5 W
TDP
10nm FinFET
Snapdragon 835
Qualcomm
Kryo 280
Adreno 540
10nm
Nota Geral
7.2
Resumo Executivo
Snapdragon 835 combina Kryo 280, Adreno 540 e 10 nm para móviles equilibrados.
Decisão Rápida
Ideal para quem busca custo/benefício com bom desempenho móvel.
Preço de Lançamento
N/A
USD (MSRP)
Custo-Benefício
7.5/10
Especificações Técnicas
Identificação do Produto
- Nome Comercial
- Qualcomm Snapdragon 835
- Codinome
- MSM8998
- Número do Modelo
- SD835
- Família
- Qualcomm Snapdragon Mobile Platform
- Geração
- 8ª Geração
- Segmento
- mobile
- Categoria de Uso
- gaming e produtividade móvel
- Data de Lançamento
- fev/2017
- Status no Mercado
- ativo
- Preço de Lançamento (USD)
- N/A
Arquitetura e Núcleo
- Arquitetura Base
- Kryo 280 custom cores
- Processo de Fabricação
- 10nm FinFET
- Total de Núcleos
- 8
- Núcleos Performance
- P-cores (4)
- Núcleos Eficiência
- E-cores (4)
- Total de Threads
- 8
- Design Híbrido
- sim
- Cache L2 Total
- L2 total ~2MB
- Cache L3 Total
- Ausente
- Tamanho do Die
- 125 mm2
- Contagem de Transistores
- ≈ 3,0 bilhões
Frequências de Clock
- Clock Base Total
- 2.45 GHz
- Base P-Cores
- 2.45 GHz
- Base E-Cores
- 1.9 GHz
- Boost Máximo
- 2.45 GHz
- Boost P-Cores
- 2.45 GHz
- Boost E-Cores
- 2.0 GHz
- Tecnologia Boost
- Dynamic Frequency Boost
- Multiplicador Livre
- nao
- Clock Memória Suportado
- LPDDR4X-1866
Consumo de Energia
- TDP Base
- 4-5 W
- TDP Boost
- PL2 ~ 6 W
- Consumo Idle
- 0.4-0.6 W
- Consumo Típico
- 1-2 W
- Consumo Pico
- 3-4 W
- Classe de Eficiência
- alta
- Cooler Recomendado (TDP)
- N/A
Suporte de Memória
- Tipo de Memória
- LPDDR4X
- Capacidade Máxima
- 8 GB
- Canais de Memória
- dual
- Velocidade Máxima Oficial
- LPDDR4X 1866 MT/s
- Suporte ECC
- nao
- Latência Ótima
- CL13
- Largura de Banda
- 28 GB/s teórico
Socket e Plataforma
- Socket
- SoC integrado
- Chipset Recomendado
- Qualcomm SoC
- Chipsets Compatíveis
- Material IHS
- cobre/alumínio
- Longevidade da Plataforma
- 3-4 anos de suporte
Conectividade PCIe
- Versão PCIe
- PCIe 3.0
- Configuração GPU
- Adreno 540 em x8
- Largura de Banda Total
- ≈20 GB/s total
- Resizable BAR
- nao
Gráficos Integrados
- Nome iGPU
- Adreno 540
- Arquitetura
- Adreno 540
- Unidades de Execução
- 256
- Clock Base
- 650-700 MHz
- Clock Boost
- 800-900 MHz
- Resolução Máxima
- 4K@60Hz
- Monitores Simultâneos
- 1
Benchmarks Sintéticos
125
Cinebench R23 Single
550
Cinebench R23 Multi
320
Geekbench 6 Single
1700
Geekbench 6 Multi
4200
PassMark CPU
420
CPU-Z Single
Desempenho em Jogos
30-34
FPS Médio 1080p
20-28
FPS Médio 1440p
null
FPS Médio 4K
Jogos Otimizados
Asphalt 8
Modern Combat
GTA:SA mobile
PUBG Mobile (config baixo)
Shadowgun Legends
Pontuações por Categoria
7.0/10
7.0/10
7.5/10
7.5/10
1/10/10
7/10
6/10
Recomendação Final
Opção sólida para mobilidade com boa relação desempenho/consumo; tecnologia de 2017, não ideal para loads pesados.
Configuração Recomendada
Placa-Mãe
Budget
placa-mãe móvel econômica
Mainstream
placa-mãe móvel equilibrada
Premium
opção topo de linha
Memória RAM
Mínima
4 GB
Recomendada
6-8 GB
Ideal
LPDDR4X 1866 MT/s
Fonte de Alimentação
Mínima
N/A
Recomendada
N/A
Dicas de Montagem
- Certifique-se de que o chipset da placa-mãe é compatível com este processador
- Utilize memória RAM com a velocidade recomendada para melhor desempenho
- Considere margem de segurança de 20% na potência da fonte para futuros upgrades
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Perguntas Frequentes
1
O Snapdragon 835 é adequado para jogos atuais?
Sim para jogos leves a moderados, com throttling sob carga máxima.
2
Compatibilidade com laptops/consoles?
Não; destinado a smartphones e wearables.
3
Pode fazer overclock?
Não recomendado; não há suporte oficial.
4
Consome muita bateria?
Uso depende da carga; 10nm ajuda a eficiência.
5
Preço de compra?
Obsoleto para novas compras; preço depende do usado.
6
IA acelerada por hardware?
Ausente; IA roda em CPU/GPU/DSP.
7
Quais GPUs suportam?
Adreno 540 integrada, sem GPU dedicada externa.
8
Benefício do processo 10nm?
Menor consumo e maior densidade de transistores.